COP 7.900
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IRF9530 IRF9530N Mosfet N Channel 100V 12A To-22
Fabricante: Infineon Categoría de producto: MOSFET Tecnología: Si Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-220-3 Número de canales: 1 Channel Polaridad del transistor: P-Channel Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V Id – Corriente de drenaje continua: 14 A Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 200 mOhms Vgs – Tensión entre puerta y fuente: 20 V Temperatura de trabajo mínima: – 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 175 C Dp – Disipación de potencia : 79 W Configuración: Single Modo canal: Enhancement Altura: 15.65 mm Longitud: 10 mm Tipo de transistor: 1 P-Channel Ancho: 4.4 mm Marca: Infineon / IR Tiempo de caída: 46 ns Tipo de producto: MOSFET Tiempo de subida: 58 ns Subcategoría: MOSFETs Tiempo de retardo de apagado típico: 45 ns Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns Peso de la unidad: 6 g
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COP 7.268
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